馬斯克談中國記憶體：追趕很快 量產能力不容小覷

特斯拉執行長馬斯克認為，中國一旦掌握某項產品的製造技術，擴大量產的能力往往超過其他國家總和。(美聯社)

AI摘要 文章摘要整理： 馬斯克指出中國一旦掌握製造技術，擴大量產能力往往驚人，記憶體可能成為下一個競爭焦點，但HBM等先進技術仍具門檻，相關言論也引發美股記憶體股重挫。

馬斯克指出中國一旦掌握製造技術，擴大量產能力往往驚人，記憶體可能成為下一個競爭焦點，但HBM等先進技術仍具門檻，相關言論也引發美股記憶體股重挫。

特斯拉 執行長 馬斯克 認為，中國一旦掌握某項產品的製造技術，擴大量產的能力往往超過其他國家總和，鋰電池及太陽能就是典型案例。他警告，記憶體（RAM）可能成為下一個面臨中國大規模量產競爭的產業，但高頻寬記憶體（HBM）及先進3D堆疊技術仍存在較高門檻。

華爾街見聞報導，馬斯克12日在社交平台X發文，並以 SpaceX 為參照，指出SpaceX是少數例外之一，入軌品質大約比世界其他所有運載火箭加起來高出一個數量級。但他隨即補充，即使如此，中國目前已佔據非SpaceX入軌品質的大部分市占，「SpaceX是矩陣中的異常值」。

在記憶體領域，馬斯克的判斷更為直接。他表示，記憶體約三年前仍是低毛利的標準化商品，而LPDDR5及LPDDR6採用共同規格，中國似乎正快速掌握相關技術。他同時指出，更新一代的HBM架構、邏輯層下方的SRAM層（靜態隨機存取記憶體），以及在邏輯層上方進行3D堆疊RAM同時解決散熱問題，將是更難攻克的技術挑戰。

馬斯克的表態並非憑空而來。長鑫存儲總裁曹堪宇10日在行業活動上宣布，公司在下一代4F²存儲單元架構上取得關鍵進展，並計畫於2026年底前推出基於該架構的DDR5伺服器記憶體產品。

4F²架構的核心優勢在於存儲單元面積更小。傳統DRAM常見的6F²架構中，F代表工藝最小線寬，而4F²設計理論上可在單位面積內容納約多三分之一的比特數，從而降低單位成本，並更適合用於AI伺服器所需的大容量記憶體條。

曹堪宇表示，該設計採用專有的垂直環繞柵極電晶體以抑制漏電，直接指向高毛利的AI伺服器DRAM市場。

這一消息令市場對中國廠商加速滲透高階記憶體市場的擔憂驟然升溫，成為週12日晶片股集體下挫的直接導火線。科技股成為12日美股表現最差的類股，記憶體晶片相關個股首當其衝。美光跌破1000美元關口，最終收跌約4%；晟碟收跌近6%；SK海力士ADR與超微電腦均跌超4%；希捷科技跌超3%；昆騰跌超9%；康寧亦大幅下挫。

市場的拋售邏輯清晰，若中國廠商能夠以更低成本、更大規模切入先前由美韓企業主導的高階記憶體市場，相關企業的利潤空間將面臨實質性壓縮。馬斯克的公開表態，在一定程度上強化了投資者對這一競爭格局演變的預期。

精華 FAQ Q1：馬斯克對中國記憶體產業的主要判斷是什麼？ 他認為中國在掌握產品製造技術後，往往能以極快速度放大量產，甚至超過其他國家總和；記憶體可能成為下一個被中國大規模競爭的產業。 Q2：馬斯克認為哪些記憶體技術仍有較高門檻？ 他指出，HBM、高頻寬記憶體，以及邏輯層下方的SRAM層、邏輯層上方的3D堆疊RAM與散熱整合，都屬於更難攻克的先進技術。 Q3：長鑫存儲的新進展為何會衝擊市場信心？ 長鑫存儲宣布在4F²存儲單元架構取得關鍵進展，並規劃2026年底前推出DDR5伺服器記憶體，讓市場擔心中國廠商加速切入高毛利AI記憶體市場。

Q1：馬斯克對中國記憶體產業的主要判斷是什麼？ 他認為中國在掌握產品製造技術後，往往能以極快速度放大量產，甚至超過其他國家總和；記憶體可能成為下一個被中國大規模競爭的產業。

Q1：馬斯克對中國記憶體產業的主要判斷是什麼？

他認為中國在掌握產品製造技術後，往往能以極快速度放大量產，甚至超過其他國家總和；記憶體可能成為下一個被中國大規模競爭的產業。

Q2：馬斯克認為哪些記憶體技術仍有較高門檻？ 他指出，HBM、高頻寬記憶體，以及邏輯層下方的SRAM層、邏輯層上方的3D堆疊RAM與散熱整合，都屬於更難攻克的先進技術。

Q2：馬斯克認為哪些記憶體技術仍有較高門檻？

他指出，HBM、高頻寬記憶體，以及邏輯層下方的SRAM層、邏輯層上方的3D堆疊RAM與散熱整合，都屬於更難攻克的先進技術。

Q3：長鑫存儲的新進展為何會衝擊市場信心？ 長鑫存儲宣布在4F²存儲單元架構取得關鍵進展，並規劃2026年底前推出DDR5伺服器記憶體，讓市場擔心中國廠商加速切入高毛利AI記憶體市場。

Q3：長鑫存儲的新進展為何會衝擊市場信心？

長鑫存儲宣布在4F²存儲單元架構取得關鍵進展，並規劃2026年底前推出DDR5伺服器記憶體，讓市場擔心中國廠商加速切入高毛利AI記憶體市場。

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