重磅衝擊！長鑫：領先三星、SK海力士4F²架構晶片突破

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長鑫宣佈，取得對手三星電子等公司努力多年的技術突破。（長鑫官網）

〔編譯魏國金／台北報導〕中國記憶體巨頭長鑫存儲宣佈，取得對手三星電子等公司努力多年的技術突破。彭博報導，此未經證實的宣稱衝擊股市，反映中國在此關鍵領域的積極布局。

報導指出，長鑫總裁曹侃鈺上週末在上海舉行的一場產業會議上表示，計畫推出一款可將更多算力整合到單一元件的新型晶片。他指出，為資料中心伺服器打造的該款晶片稱為4F²架構設計，預計今年底前推出，長鑫一名發言人證實該說法。

如果長鑫成功達到4F²技術門檻，這意謂儘管美國制裁，阻止中企取得艾司摩爾（ASML）的頂尖機台，長鑫的技術進展仍領先三星與SK海力士。曹侃鈺沒有提供更多細節，不過該言論在廣泛報導後引發全球晶片類股恐慌性拋售。

三星與SK海力士股價13日一度重挫逾7%，衝擊Kospi指數，前一天，美光科技收跌4%。

晨星分析師Jing Jie Yu指出，「成功且更早將4F²架構導入DRAM生產，將大幅提升長鑫抗衡對手的競爭力」。他補充，記憶體巨頭以及設備製造商都曾指出該技術轉型的難度，因此預期長鑫4F²產品的公佈，以及以可行的良率商業化之間，存在很大的時間落差。

目前該產業採用的是6F²標準，亦即晶片表面積為其「特徵尺寸」（feature size，電晶體之間的基礎線寬）平方的6倍。三星與SK海力士正致力將該尺寸縮小至4F²，理論上，在更小面積上容納相同數量的記憶單元，將可提升效能。

曹侃鈺表示，長鑫透過堆疊技術改變電晶體排列方式。所謂的「垂直環繞閘極」（Vertical Surrounding Gate）技術應可降低漏電與其他副作用。長期以來，三星與SK海力士等業界巨頭在致力將「特徵尺寸」縮至小於6F²標準時，都會面臨相關問題。

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