瑞穗分析師：7大理由 長鑫技術不致威脅美光、三星
中企長鑫存儲宣稱，今年底將推出4F²架構的DDR5 DRAM，點燃記憶體股賣壓，但瑞穗分析師認為無需恐慌，長鑫技術未經驗證，未必具有競爭力。
瑞穗分析師認為無需恐慌，長鑫技術未經驗證，未必具有競爭力。(路透)
AI摘要 文章摘要整理： 瑞穗分析師指出，長鑫雖宣稱年底推出4F² DDR5，但技術、良率與成本仍未驗證，短期不致衝擊美光、三星等記憶體大廠。
瑞穗分析師指出，長鑫雖宣稱年底推出4F² DDR5，但技術、良率與成本仍未驗證，短期不致衝擊美光、三星等記憶體大廠。
中企長鑫存儲宣稱，今年底將推出4F²架構的DDR5 DRAM，點燃記憶體股賣壓，但瑞穗分析師認為無需恐慌，長鑫技術未經驗證，未必具有競爭力。
瑞穗的Jordan Klein表示：「若我持有 美光 、SanDisk、SK海力士、 三星 電子股票，我不會賣股或陷入恐慌」，對他來說，長鑫的DDR5設計進展，短期內不會改變任何事，長鑫技術需要密切關注，僅此而已。
瑞穗指出，長鑫宣稱DDR5 DRAM採4F²架構、搭配垂直環繞式閘極電晶體，較當前採6F²架構的DDR5，面積縮小約三分之一。
Klein列舉七大理由，解釋為何他認為無法構成競爭威脅。首先，據報三星的4F²架構DRAM，目標2028年量產，但長鑫預定今年底就要推出4F²新品。Klein認為，兩者無法直接比較，發布產品不代表製造技術成熟，或具備良率與成本競爭力。
再來，外界擔心記憶體恐怕會供給過剩， Klein也有所質疑。他說，長鑫4F²產品未有成功量產紀錄、良率也未獲驗證，要說供過於求風雨欲來，還言之過早。
長鑫並未公布新品的完整規格、良率、客戶驗證結果等。
Klein也不認為面積較小，必然意味晶片成本較低，強調若把製程複雜度、良率等因素都納入最終成本考量，長鑫至今尚未展現出同等競爭力。
他也強調DDR5是傳統伺服器DRAM，並非高頻寬記憶體（HBM），這限制了近期內長鑫在AI建設潮的關聯性。
Klein並說，4F²架構並非長鑫獨有，三星和SK海力士都在研發類似技術。
儘管如此，Klein並未全然無視長鑫的長期競爭力，他說自己無意這麼做。長鑫正大舉投資，以供給國內客戶。
精華 FAQ Q1：瑞穗分析師為何認為長鑫不致威脅美光與三星？ 因為長鑫的4F² DDR5仍屬未經驗證階段，尚未公布完整規格、良率與客戶驗證結果，製造成熟度與成本競爭力都不足，短期難形成實質威脅。 Q2：長鑫宣稱的4F² DDR5技術，和現行方案有何差異？ 長鑫表示其DDR5採4F²架構並搭配垂直環繞式閘極電晶體，較現行6F²架構可縮小約1/3面積，但面積變小不代表成本一定更低。 Q3：這篇報導對市場最重要的投資訊號是什麼？ 市場不必因長鑫消息就恐慌拋售記憶體股，因為其產品尚未證明可量產且具成本優勢；真正影響供需與競爭格局，仍要看後續良率與商業化進展。
Q1：瑞穗分析師為何認為長鑫不致威脅美光與三星？ 因為長鑫的4F² DDR5仍屬未經驗證階段，尚未公布完整規格、良率與客戶驗證結果，製造成熟度與成本競爭力都不足，短期難形成實質威脅。
Q1：瑞穗分析師為何認為長鑫不致威脅美光與三星？
因為長鑫的4F² DDR5仍屬未經驗證階段，尚未公布完整規格、良率與客戶驗證結果，製造成熟度與成本競爭力都不足，短期難形成實質威脅。
Q2：長鑫宣稱的4F² DDR5技術，和現行方案有何差異？ 長鑫表示其DDR5採4F²架構並搭配垂直環繞式閘極電晶體，較現行6F²架構可縮小約1/3面積，但面積變小不代表成本一定更低。
Q2：長鑫宣稱的4F² DDR5技術，和現行方案有何差異？
長鑫表示其DDR5採4F²架構並搭配垂直環繞式閘極電晶體，較現行6F²架構可縮小約1/3面積，但面積變小不代表成本一定更低。
Q3：這篇報導對市場最重要的投資訊號是什麼？ 市場不必因長鑫消息就恐慌拋售記憶體股，因為其產品尚未證明可量產且具成本優勢；真正影響供需與競爭格局，仍要看後續良率與商業化進展。
Q3：這篇報導對市場最重要的投資訊號是什麼？
市場不必因長鑫消息就恐慌拋售記憶體股，因為其產品尚未證明可量產且具成本優勢；真正影響供需與競爭格局，仍要看後續良率與商業化進展。
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