南韓DRAM若被超車 恐是親中自誤

中國記憶體巨頭長鑫存儲宣布，取得對手三星電子等公司努力多年的技術突破。（彭博資料照）

〔編譯魏國金／綜合報導〕中國記憶體巨頭長鑫存儲宣布，取得對手三星電子等公司努力多年的技術突破。彭博報導，此未經證實的宣稱衝擊股市，反映中國在此關鍵領域的積極布局。

報導指出，長鑫總裁曹侃鈺上週末在上海舉行的一場產業會議上表示，計畫推出一款可將更多算力整合到單一元件的新型晶片。他指出，為資料中心伺服器打造的該款晶片稱為4F²架構設計，預計今年底前推出；長鑫一名發言人證實該說法。

如果長鑫成功達到此技術門檻，這意謂儘管美國制裁，阻止中企取得艾斯摩爾（ASML）的頂尖機台，長鑫的技術進展仍領先三星與SK海力士。

晨星分析師Jing Jie Yu指出，「成功且更早將4F²架構導入DRAM生產，將大幅提升長鑫抗衡對手的競爭力」。他補充，記憶體巨頭以及設備製造商都曾指出該技術轉型的難度，因此預期長鑫4F²產品的公布，以及以可行的良率商業化之間，存在很大的時間落差。

目前該產業採用的是6F²標準，亦即晶片表面積為其「特徵尺寸」（電晶體之間的基礎線寬）平方的六倍。三星與SK海力士正致力將該尺寸縮小至4F²，理論上，在更小面積上容納相同數量的記憶單元，將可提升效能。

曹侃鈺表示，長鑫透過堆疊技術改變電晶體排列方式。所謂的「垂直環繞閘極」技術應可降低漏電與其他副作用。

長期以來，三星與SK海力士在致力將該尺寸縮至小於6F²時，都會面臨相關問題。

台灣財經網紅胡采蘋指出，長鑫技術的逼近「完全是三星自己惹出來的麻煩」，三星工程師幫中國建立起長鑫，對於科技保護的管制太晚、太沒有警覺心。

她指出，三星到現在才要對長鑫展開專利訴訟，顯見韓國對中共的戒心比台灣更少，「記憶體這一仗如果打敗，韓國的國運基本上就完了」；不過她強調，「中國半導體廠的話一定要打三折，因他們有拿補助的強大壓力，而且韓國仍是記憶體的強者」。

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