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全球晶片大廠組研發聯盟 力抗中國長鑫存儲崛起

南韓商報報導,美國半導體設備大廠應用材料最近在加州森尼韋爾(Sunnyvale)為EPIC中心揭幕,這是由三星電子、SK海力士與台積電等半導體大廠參與的研發合作中心,旨在力抗中國記憶體大廠長鑫存儲的崛起。

世界新闻网中央社加州森尼韋爾14日綜合外電報導查看原文 ↗
應用材料最近在加州森尼韋爾為EPIC中心揭幕。(美聯社)
應用材料最近在加州森尼韋爾為EPIC中心揭幕。(美聯社)

應用材料最近在加州森尼韋爾為EPIC中心揭幕。(美聯社)

AI摘要 文章摘要整理: 應用材料攜手三星、SK海力士、台積電等成立50億美元EPIC中心,聚焦半導體製程與設備研發,並被外界視為抗衡中國長鑫存儲快速崛起的重要布局。

應用材料攜手三星、SK海力士、台積電等成立50億美元EPIC中心,聚焦半導體製程與設備研發,並被外界視為抗衡中國長鑫存儲快速崛起的重要布局。

南韓商報報導,美國半導體設備大廠應用材料最近在加州森尼韋爾(Sunnyvale)為EPIC中心揭幕,這是由 三星 電子、SK海力士與台積電等半導體大廠參與的研發合作中心,旨在力抗中國記憶體大廠長鑫存儲的崛起。

根據南韓商報(Business Korea),EPIC中心(EPIC Center)總投資額達50億美元,是全球最大的半導體製程技術及製造設備聯合研發設施。

EPIC中心創始合作夥伴包括三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK hynix)、台積電、英特爾(Intel)及 美光 (Micron)。

創新合作夥伴則包含 博通 (Broadcom)、愛德萬測試(Advantest)、Screen、鎧俠(Kioxia)、Besi及史丹佛大學(Stanford University)、加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)等主要大學。

SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-jung)表示,將透過與應用材料(Applied Materials)合作,因應高頻寬記憶體(HBM)、DRAM及NAND等領域的重大技術轉折。

南韓商報報導,這個全球性聯盟與中國力圖取得主導地位有關,而中國的目標不僅是實現半導體自主。

受美國對先進技術實施出口管制影響,中國與西方國家的技術交流幾乎中斷,而中國正由政府主導突破相關限制,迅速提升競爭力。

例如,美國阻止荷蘭艾司摩爾(ASML)向中國出口極紫外光(EUV)微影設備後,中國自行開發深紫外光(DUV)微影設備,以提升先進製程競爭力。

因此,被視為中國DRAM龍頭的長鑫存儲(CXMT)快速成長,最近宣布已開始量產其新一代行動DRAM產品LPDDR6。

此外,長鑫存儲也宣布,將率先採用新一代DRAM架構4F²,在今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM。就連三星與SK海力士,目前都尚未宣布採用這種架構的量產計畫。

根據Counterpoint Research等市場研究機構,今年第2季,三星在全球DRAM市場市占率達39%,排名第一;在NAND市占率則為29.3%。長鑫存儲市占率達10%,是去年同期4%的兩倍以上,正加緊追趕。

精華 FAQ Q1:EPIC中心是由哪些主要半導體業者共同參與? EPIC中心的創始合作夥伴包括三星電子、SK海力士、台積電、英特爾與美光,另有博通、愛德萬測試、Screen、鎧俠、Besi及多所頂尖大學加入,形成跨國研發聯盟。 Q2:這個研發聯盟的成立,主要想回應什麼產業壓力? 報導指出,這項全球聯盟主要是因應中國在半導體領域加速追趕,尤其是長鑫存儲快速擴張。面對出口管制與技術競爭,聯盟希望強化HBM、DRAM與NAND等關鍵技術。 Q3:長鑫存儲近期有哪些技術與市占率上的進展? 長鑫存儲已宣布量產新一代行動DRAM產品LPDDR6,並計畫在今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM。其全球DRAM市占率已達10%,較去年同期4%明顯成長。

Q1:EPIC中心是由哪些主要半導體業者共同參與? EPIC中心的創始合作夥伴包括三星電子、SK海力士、台積電、英特爾與美光,另有博通、愛德萬測試、Screen、鎧俠、Besi及多所頂尖大學加入,形成跨國研發聯盟。

Q1:EPIC中心是由哪些主要半導體業者共同參與?

EPIC中心的創始合作夥伴包括三星電子、SK海力士、台積電、英特爾與美光,另有博通、愛德萬測試、Screen、鎧俠、Besi及多所頂尖大學加入,形成跨國研發聯盟。

Q2:這個研發聯盟的成立,主要想回應什麼產業壓力? 報導指出,這項全球聯盟主要是因應中國在半導體領域加速追趕,尤其是長鑫存儲快速擴張。面對出口管制與技術競爭,聯盟希望強化HBM、DRAM與NAND等關鍵技術。

Q2:這個研發聯盟的成立,主要想回應什麼產業壓力?

報導指出,這項全球聯盟主要是因應中國在半導體領域加速追趕,尤其是長鑫存儲快速擴張。面對出口管制與技術競爭,聯盟希望強化HBM、DRAM與NAND等關鍵技術。

Q3:長鑫存儲近期有哪些技術與市占率上的進展? 長鑫存儲已宣布量產新一代行動DRAM產品LPDDR6,並計畫在今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM。其全球DRAM市占率已達10%,較去年同期4%明顯成長。

Q3:長鑫存儲近期有哪些技術與市占率上的進展?

長鑫存儲已宣布量產新一代行動DRAM產品LPDDR6,並計畫在今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM。其全球DRAM市占率已達10%,較去年同期4%明顯成長。

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