三星与SK海力士据报升级在华晶片厂 应对长江存储竞争

韩国半导体巨头三星电子和SK海力士据报计划升级在华工厂以生产更先进的存储晶片，应对中国竞争对手长江存储的崛起，并满足人工智能（AI）领域日益增长的需求。

路透社星期三（10月21日）引述四名知情人士报道，三星和SK海力士计划在中国工厂生产超过200层的NAND闪存晶片，缩小与韩国先进产线的技术差距。

NAND是一种断电后仍能保存数据的存储晶片，广泛应用于智能手机、个人电脑及AI数据中心。晶片堆叠层数越多，通常意味着存储密度越高，单位存储成本也越低。

三星和SK海力士已向路透社证实，正在升级中国工厂，并就相关计划与美国政府密切磋商，但未透露具体生产安排。

两名知情人士透露，三星位于陕西西安的工厂目前生产约200层的NAND晶片，占公司全球NAND产量约40%。三星正通过内部代号为“Monami”的计划，改造西安工厂以生产286层的第九代V9 NAND晶片，目标是在今年12月实现每月生产5000片晶圆，并于2027年12月提高至每月4万片。“Monami”源自法语“我的朋友”。

另一方面，SK海力士正计划将辽宁大连工厂生产的NAND晶片，从目前的192层升级至240层或以上。

知情人士透露，SK海力士已获准在大连生产最高240层的晶片，并可能进一步向美国申请许可，在当地研发超过300层的晶片，为未来在美国生产相关产品奠定基础。

SK海力士正与特朗普政府讨论在美国兴建一座新的NAND晶片工厂。

但路透社尚无法确认，美国当局在多大程度上已批准两家公司升级中国工厂所需的设备出口许可证。

自美国2022年开始限制部分晶片制造设备出口中国以来，两家韩国企业在华投资面临挑战。目前，两家公司若要在中国工厂安装美国制造的蚀刻机等设备，须每年向华盛顿申请许可。

美国商务部工业与安全局（BIS）去年也表明，原则上只会批准维持现有中国工厂运营所需的设备出口，不会批准扩大产能或升级技术的申请。

三星则强调，工厂升级符合美国出口管制规定。“此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户不断增长的需求。公司并未扩大产能，也没有建设新的制造设施。”

路透社指出，美国出台的监管障碍限制了这两家韩国巨头升级中国工厂的能力，也导致它们的市场份额被中国长江存储科技（YMTC）逐步蚕食。

根据市场研究机构Omdia的数据，长江存储今年第二季度在中国NAND市场的份额达到38.5%，高于去年全年的28%，并已超越三星。同期，三星的市占率从36%降至33.5%，SK海力士则从20%降至17%。

知情人士透露，长江存储目前主要生产160层和232层NAND晶片，也已少量生产294层产品，并计划进一步开发超过300层的晶片。

相比之下，在中国以外的市场，三星目前销售的NAND晶片最高达到286层，并已在今年8月展示超过400层的原型产品；SK海力士则已推出最高321层的NAND晶片。