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與長江儲存競爭…三星、SK海力士升級在中晶片廠

南韓半導體巨頭三星電子和SK海力士,傳出計劃升級在中國的工廠,以生產更先進的記憶體,來應對中國競爭對手長江儲存的崛起,並滿足人工智慧(AI)領域日益增長的需求。

世界新闻网記者林宸誼/即時報導查看原文 ↗
南韓半導體巨頭三星電子和SK海力士,傳出計劃升級在中國的工廠,以生產更先進的記憶體,來應對中國競爭對手長江儲存的崛起,並滿足人工智慧(AI)領域日益增長的需求。路透
南韓半導體巨頭三星電子和SK海力士,傳出計劃升級在中國的工廠,以生產更先進的記憶體,來應對中國競爭對手長江儲存的崛起,並滿足人工智慧(AI)領域日益增長的需求。路透

南韓半導體巨頭三星電子和SK海力士,傳出計劃升級在中國的工廠,以生產更先進的記憶體,來應對中國競爭對手長江儲存的崛起,並滿足人工智慧(AI)領域日益增長的需求。路透

AI摘要 文章摘要整理: 三星與SK海力士計畫升級中國工廠生產高層數NAND,以滿足AI需求並對抗長江儲存崛起,但仍受美國出口管制與許可限制影響。

三星與SK海力士計畫升級中國工廠生產高層數NAND,以滿足AI需求並對抗長江儲存崛起,但仍受美國出口管制與許可限制影響。

南韓 半導體巨頭 三星 電子和SK海力士,傳出計劃升級在中國的工廠,以生產更先進的記憶體,來應對中國競爭對手長江儲存的崛起,並滿足人工智慧(AI)領域日益增長的需求。

路透引述4名知情人士報導,三星和SK海力士計劃在中國工廠生產超過200層的NAND快閃記憶體晶片,縮小與南韓先進產線的技術差距。

NAND是斷電後仍能保存資料的記憶體,廣泛應用於智慧型手機、個人電腦及AI資料中心。晶片堆疊層數越多,通常代表儲存密度越高,單位儲存成本也越低。

三星和SK海力士已證實,正升級在中國中國工廠,並就相關計畫與美國政府密切磋商,但未透露具體生產安排。

2名知情人士透露,三星位於陝西西安的工廠目前生產約200層的NAND晶片,占公司全球NAND產量約40%。

三星正透過內部代號為「Monami」(源自法文「我的朋友」)的計劃,改造西安工廠以生產286層的第9代V9 NAND晶片,目標是在今年12月實現每月生產5,000片晶圓,並於2027年12月提高至每月4萬片。但目前無法確認,美國當局在多大程度上,已批准2家公司升級中國工廠所需的設備出口許可證。

自美國2022年開始限制部分晶片製造設備出口中國中國以來,2家南韓企業在陸投資面臨挑戰,目前2家公司若要在中國工廠安裝美國製造的蝕刻機等設備,必須每年向華盛頓申請許可。

美國商務部工業與安全局(BIS)去年也表明,原則上只會批准維持現有中國工廠運作所需的設備出口,不會批准擴大產能或升級技術的申請。

三星則強調,工廠升級符合美國出口管制規定,「此次升級旨在滿足包括美國客戶在內的全球客戶不斷增長的需求。公司並未擴大產能,也沒有建設新的製造設施。」

美國推出的監管障礙,限制了這2家南韓巨頭升級中國工廠的能力,也導致它們的市占被長江儲存(YMTC)逐步蠶食。據市場研究機構Omdia數據,長江儲存今年第2季在中國NAND市場的市占率達38.5%,高於去年全年的28%,並已超越三星。同期,三星的市占率從36%降至33.5%,SK海力士則從20%降至17%。

知情人士透露,長江儲存目前主要生產160層和232層NAND晶片,也已少量生產294層產品,並計畫進一步開發超過300層的晶片。相較之下,在中國以外的市場,三星目前銷售的NAND晶片最高達到286層,並已在今年8月展示超過400層的原型產品;SK海力士則已推出最高321層的NAND晶片。

精華 FAQ Q1:三星和SK海力士為何要升級中國工廠的NAND產線? 主要是為了生產更先進的NAND晶片,滿足AI資料中心與全球客戶需求,同時縮小與中國競爭對手長江儲存的技術與市占差距。 Q2:三星西安工廠目前與未來的升級目標是什麼? 三星西安廠目前約生產200層NAND,未來透過Monami計畫改造為286層第9代V9 NAND,目標是今年12月達每月5,000片晶圓,2027年12月提高到每月4萬片。 Q3:美國出口管制如何影響南韓記憶體廠在中國的布局? 自2022年起,南韓廠商在中國安裝美國設備需逐年申請許可,BIS原則上只允許維持現有運作,不易核准擴產或升級,間接削弱三星與SK海力士的競爭力。

Q1:三星和SK海力士為何要升級中國工廠的NAND產線? 主要是為了生產更先進的NAND晶片,滿足AI資料中心與全球客戶需求,同時縮小與中國競爭對手長江儲存的技術與市占差距。

Q1:三星和SK海力士為何要升級中國工廠的NAND產線?

主要是為了生產更先進的NAND晶片,滿足AI資料中心與全球客戶需求,同時縮小與中國競爭對手長江儲存的技術與市占差距。

Q2:三星西安工廠目前與未來的升級目標是什麼? 三星西安廠目前約生產200層NAND,未來透過Monami計畫改造為286層第9代V9 NAND,目標是今年12月達每月5,000片晶圓,2027年12月提高到每月4萬片。

Q2:三星西安工廠目前與未來的升級目標是什麼?

三星西安廠目前約生產200層NAND,未來透過Monami計畫改造為286層第9代V9 NAND,目標是今年12月達每月5,000片晶圓,2027年12月提高到每月4萬片。

Q3:美國出口管制如何影響南韓記憶體廠在中國的布局? 自2022年起,南韓廠商在中國安裝美國設備需逐年申請許可,BIS原則上只允許維持現有運作,不易核准擴產或升級,間接削弱三星與SK海力士的競爭力。

Q3:美國出口管制如何影響南韓記憶體廠在中國的布局?

自2022年起,南韓廠商在中國安裝美國設備需逐年申請許可,BIS原則上只允許維持現有運作,不易核准擴產或升級,間接削弱三星與SK海力士的競爭力。

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