英特爾嗆「技術已領先」台積電 趕上台積電是規模問題

英特爾積極加強與台積電在先進製程中競爭。（彭博資料照，本報合成）

〔財經頻道／綜合報導〕英特爾首席技術長 （CTO） 普什卡爾·拉納（Pushkar Ranade）承認，在規模上追趕台積點將是一個緩慢而漸進的過程。但他也指出，趕上台積電是規模問題，而不是技術問題；在技術追趕方面，英特爾「已經領先了」。

拉納德接受媒體訪談時談到台積電，並闡述了英特爾在全球晶片代工領域與這家台灣公司競爭的努力。拉納德承認，台積電如今的晶圓製造規模遠超英特爾，並補充說，規模上的追趕將是一個緩慢而漸進的過程。

然而，他補充說，在技術追趕方面，英特爾「已經領先了」。雖然英特爾「在性能、功耗或面積密度方面可能落後幾個百分點，但你知道，當一家公司落後「整整一代」時，這種比較一家代工廠領先或落後的基準測試就很有意義了。

此外，英特爾負責製造開發和客戶關係的副總裁兼總經理克里斯·奧斯（Chris Auth）認為，與台積電相比，英特爾更適合使用高數值孔徑極紫外曝光機。奧斯在Dwarkesh播客節目中發表了上述言論，他解釋說，由於英特爾的產品採用背面供電設計，因此可以直接使用高數值孔徑極紫外曝光機進行電路印刷。

由於高數值孔徑（NA）極紫外線（EUV）曝光機提高了晶圓上的光分辨率，實現了16奈米至8奈米的間距，晶片製造商只需一次刻蝕即可節省成本。在曝光技術中，間距是指兩個特徵之間的距離。像台積電這樣的製造商通常分階段進行特徵刻蝕，因為單階段蝕刻無需像單階段蝕刻那樣嚴格控制間距。

奧斯在Dwarkesh播客節目中表示，由於英特爾的晶片間距要求不像台積電那樣嚴格，因此該公司可以依賴高數值孔徑（High NA）晶片。這使得英特爾的誤差容忍度更高，因為較寬鬆的晶片間距降低了電路印刷的精度要求。

奧斯的評論證實，該公司目前專注於將這項技術應用於14A製造，而此前的一些報導曾討論過將其應用於18A製程。

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