膨風+竊密 中國吹大記憶體泡沫

多數專家質疑，長鑫宣稱年底前推出採用「4F²」記憶單元架構，多半僅屬於工程樣品階段。（路透資料照）

〔記者高嘉和／綜合報導〕長鑫存儲與長江存儲被視為中國記憶體國家隊，長鑫近期宣稱將推出採用4F²記憶單元架構的DDR5 RDIMM伺服器記憶體，一度造成南韓半導體類股重挫；但多數專家直言就是「過度宣傳」，凸顯在國家大基金與地方政府強力扶持下，中國推進記憶體自主化，不是靠偷、就是靠吹。

專注於NAND Flash（快閃記憶體）的長江存儲，就被質疑是靠竊密與挖角快速崛起。長存不僅將竊取來的技術用於自家產品，還註冊為專利組合，甚至「做賊喊抓賊」，在德國反咬美光侵權並一度打贏官司、取得禁制令；美光近來在美國法院提起反訴，指控長存竊取營業秘密，而長存主張用來提告的專利，根本是高薪挖角美光工程師後，竊取美光技術去註冊的「贓物」。

長鑫存儲也屢被指控竊取三星電子技術。南韓檢方二〇二三年底起訴十名前三星員工，指控他們將關鍵晶片製造技術洩漏給長鑫；今年四月，南韓法院依違反《產業技術保護法》，將一名曾在三星工作二十八年的五十六歲前工程師判處七年有期徒刑。

而長鑫近期高調宣布，將於今年底前推出採用「4F²」記憶單元架構，並結合晶圓級混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的新一代伺服器DDR5 RDIMM記憶體。

但多數專家質疑，技術路線圖不等於「商業化量產」，三星與SK海力士早已公開相關研究成果；長鑫宣稱「年底推出」目標，多半僅屬於工程樣品階段，距離真正克服製造成本與良率、實現大規模量產仍有極大差距。

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