國研院攜手汎銓科技　突破EUV光阻分析技術

國研院27日舉行記者會，宣布國研院國儀中心攜手汎銓科技成功攻克新一代極紫外光製程後結構分析技術瓶頸。國研院院長蔡宏營（左3）、汎銓董事長柳紀綸（左2）等人出席。中央社記者趙敏雅攝 115年10月27日

（中央社記者 趙敏雅 台北27日電）國研院國儀中心攜手汎銓科技，攻克新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光阻材料微影製程後，以鍍膜技術強化晶圓上奈米結構，進行後續檢測分析，這項成果協助汎銓科技打入全球大型半導體設備商與製造商的製程供應鏈。

國研院今天宣布，攜手汎銓科技成功攻克新一代極紫外光製程後結構分析技術瓶頸，這是半導體製程邁向2奈米線寬過程中，必須克服的難關之一。國研院院長蔡宏營指出，「製程做完之後，要確認做得好不好，這項技術更具挑戰性」。

國研院說明，隨著半導體製程持續朝埃米級別微縮，極紫外光（EUV）微影技術已發展為更高階的「高數值孔徑極紫外光」，才能在半導體晶圓上製作更細的電流通道。「金屬氧化物光阻劑」（MOR）是專門搭配高數值孔徑極紫外光微影技術的關鍵材料之一，兩者結合能製作出更細、更精準的電路圖案，也有助於提升半導體製程效能與良率。

國研院表示，這種新世代半導體製程尚在發展階段，對微影製程後的晶圓結構品質與尺寸精度有更高要求，必須透過精密檢測技術，將晶圓剖開，分析使用高數值孔徑極紫外光與金屬氧化物光阻劑微影曝光後的晶圓化學變化與奈米結構。

國研院指出，在微影曝光後直接剖開晶圓進行分析，容易對晶圓上已經製作好的奈米結構變形與材料界面造成破壞，若在檢測前，先在晶圓表面鍍一層膜，讓整體結構變得堅固，可避免剖開晶圓時造成損傷。

為解決產業痛點，國研院表示，國儀中心結合儀器設備開發經驗與真空製程核心技術，建置「先進半導體材料分析技術研發平台」，以尖端的原子層沉積（ALD）設備與技術，提供業界所需的高品質鍍膜需求。汎銓科技可運用國儀中心客製化開發的原子層沉積設備，針對不同材料與分析情境調校專屬製程參數，成功發展符合當前半導體產業嚴苛需求的分析技術。

汎銓也公布，攜手國研院推進「類FAB（Fab-like）產線驗證技術」，進一步將材料分析能力延伸至製程模擬與生產驗證環節，打造生產及驗證分析一條龍的服務模式。

汎銓董事長柳紀綸指出，目前客戶有使用相關技術，「現在不是起跑點，已經跑到路中間了，全球前3大設備商，甚至前5大，我們都在服務」。他也看好相關服務量將擴大，也能提高客戶黏著度。

國研院表示，國儀中心與汎銓科技合作，順利突破複雜的分析技術瓶頸，建立具高度差異化的分析能力與技術護城河。國儀中心先進半導體材料分析技術研發平台，未來將持續提供最前瞻的奈米結構解析與材料驗證服務，協助更多國內廠商打造下一世代半導體材料分析技術解決方案，助力台灣半導體供應鏈縮短研發週期，搶占市場先機。（編輯：林家嫻）1151027

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