英媒：先进晶片良率低于20% 长鑫存储仍推量产计划

路透社引述知情人士报道，中国存储晶片制造商长鑫存储计划开始批量生产HBM3E高带宽存储晶片。

报道称，尽管这种用于人工智能（AI）处理器的先进存储晶片，生产良率可能低至20%，公司仍决定推进量产。

报道指出，这一决定凸显中国面临严重的AI存储晶片短缺问题。在美国限制中国获取外国先进技术之际，中国政府正支持国内企业大规模开发英伟达（Nvidia）AI处理器的国产替代产品，而高带宽存储晶片是其中不可或缺的关键零部件。

知情人士说，作为中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）制造商，长鑫存储已向数家中国本土AI晶片设计公司提供HBM3E样品。其中一名知情人士透露，公司预计将在未来两个月内开始小规模生产。

据报道，长鑫存储HBM3E的良率，即生产线上制造的晶片中符合规格要求的比例，目前仅约20%至30%。相比之下，市场龙头韩国SK海力士（SK Hynix）的良率约为70%。

知情人士称，尽管良率偏低，长鑫存储仍决定推进HBM3E生产，原因是中国AI晶片制造商一直难以获得足够的先进存储晶片，限制了它们扩大产量的能力。

长鑫存储是中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）晶片制造商。DRAM广泛用于智能手机、个人电脑、服务器和AI系统等电子设备，主要承担短期数据存储功能。

美国科技媒体The Information8月底曾报道，阿里巴巴旗下平头哥、总部位于北京的寒武纪等多家中国晶片设计公司，正在测试将长鑫存储的HBM3E与自家处理器搭配使用。如果进展顺利，这些公司最早将于明年在产品中采用这款存储器。