台積電攜ASML推進12吋光罩　2031年建試產線攻先進製程

（中央社記者 張建中 新竹8日電）台積電今天宣布，與ASML展開合作，共同推動轉移升級至12吋光罩，將微影技術的價值發揮到極致，消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，目標於2031年之前建立12吋光罩試產線，並於2033年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。

台積電今天發布新聞稿表示，於BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布與艾司摩爾（ASML）共同推動半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩合作計畫。

台積電董事長暨總裁魏哲家說，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。

魏哲家表示，台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。

台積電指出，高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。

台積電表示，這一轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。

艾司摩爾總裁暨執行長福克（Christophe Fouquet）說，預期隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。（編輯：林淑媛）1150908

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