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新型晶片製造接近「世界最先進」水平 這家中企喊做到了

〔財經頻道/綜合報導〕中國記憶體晶片巨頭長鑫儲存(CXMT)週日(20日)表示,該公司已採用其新一代技術平台進行大規模生產,縮小了三星電子和SK海力士等全球領導者在製造方面的優勢。 長鑫儲存在一份聲明中表示,其第五代技術平台G5在存儲密度方面實現了「質的飛躍」,每片晶圓生產的晶片數量比上一代至少增

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中國積極發展晶片新技術。(示意圖,彭博)
中國積極發展晶片新技術。(示意圖,彭博)

中國積極發展晶片新技術。(示意圖,彭博)

〔財經頻道/綜合報導〕中國記憶體晶片巨頭長鑫儲存(CXMT)週日(20日)表示,該公司已採用其新一代技術平台進行大規模生產,縮小了三星電子和SK海力士等全球領導者在製造方面的優勢。

長鑫儲存在一份聲明中表示,其第五代技術平台G5在存儲密度方面實現了「質的飛躍」,每片晶圓生產的晶片數量比上一代至少增加了50%,同時保持了更高的能源效率和成本控制。

由於包括韓國三星和SK海力士在內的主要廠商都在使用10奈米製程技術,長鑫儲存表示,它已經透過「四重曝光」技術達到了11.95奈米的閾值,使其接近「世界上最先進的量產記憶體平台」的水平。

長鑫儲存也展示了兩款以G5平台為基礎的量產LPDDR5X產品。這兩款面向行動裝置的高速、低功耗動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片,容量均為24Gb,比上一代同類產品提升了50%。

該公司表示,這些產品符合「中高階智慧型手機和便攜式消費性電子產品」的需求,並承諾未來將「繼續推動技術迭代,以滿足全球市場需求」。

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