台灣引領全球半導體 專家建議善用印度人才保優勢

國立陽明交通大學前瞻半導體研究所教授成維華（圖）認為，在半導體領域領先全球的台灣，如能善用印度人才，可擺脫中國追趕，持續在全球的領導地位。（印度理工學院羅克分校提供）中央社記者李晉緯新德里傳真 115年9月29日

（中央社記者 李晉緯 新德里29日專電）國立陽明交通大學前瞻半導體研究所教授成維華認為，屬於高算力的人工智慧與低能耗的氮化鎵時代即將到來，在半導體領域領先全球的台灣，如能善用印度人才，將可擺脫中國追趕，維持全球領導地位。

成維華於24日、25日在印度參加氮化鎵元件封裝與技術研討會提到，隨著人工智慧（AI）伺服器、快速充電及資料中心應用的快速成長，高效氮化鎵（GaN）功率元件正釋放出龐大的商業機會，有望成為繼矽元件後最重要的半導體材料，而高頻通訊和高能效功率元件是推動氮化鎵應用普及的關鍵動力。

成維華今天接受中央社記者採訪時表示，在先進半導體設計與製造方面，台灣世界第1的地位是無庸置疑的，但中國緊追在後，印度雖處在剛起步的階段，卻有很多優秀理工人才，若台灣能和印度合作，將能保持世界領先的地位，也能在和中國競爭中保有優勢。

他說，寬能隙半導體元件包括碳化矽、氮化鎵等，台灣除企業在發展第3代半導體上不遺餘力，學校也訓練學生，成為未來可供廠商所用的工程師。台灣半導體產業發展的範圍愈來愈大，台灣的人力逐漸不敷需求，需要另覓人才，所以找上印度在理工科方面最好的學校印度理工學院羅克分校（IIT Rookee）合作。

成維華指出，由政府幫忙、學校出力，讓台灣和印度的橋梁搭起後，印度理工學院這些印度萬中選一的優秀人才，未來可以到台灣深造、就業，緩解台灣企業求才若渴的情況。

他提到，第3代半導體是AI晶片巨擘輝達（NVIDIA）執行長黃仁勳認為的「未來」，但這已經是現在進行式，且大概不到5年就會有一次重大變化，在這樣大變動的過程，都需要台灣內、外部人力資源。

針對這部分，成維華告訴中央社記者，陽明交大在校長林奇宏與中央研究院院士張翼領導下，一直跟印度、東南亞有實質互動，也在推動交換學生計畫，未來希望能進一步朝雙聯博士學位合作邁進。

這次研討會，駐印度代表處科技組的代表隨成維華等人前往參加，並表示期盼與印度理工學院羅克分校的合作，從過往的地震相關科技合作基礎上，擴展至半導體相關科技合作。（編輯：唐聲揚）1150929

國立陽明交通大學前瞻半導體研究所教授成維華（左）說，隨著人工智慧（AI）伺服器、快速充電及資料中心應用的快速成長，高效氮化鎵（GaN）功率元件正釋放出龐大的商業機會。中央社記者李晉緯新德里攝 115年9月29日

國立陽明交通大學前瞻半導體研究所教授成維華（左2）指出，在先進半導體設計與製造方面，台灣世界第1的地位無庸置疑，但中國緊追在後，印度雖剛起步，卻有很多優秀理工人才，若台灣能和印度合作，將能保持世界領先地位。中央社記者李晉緯新德里攝 115年9月29日

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