日企首家 Resonac開發出12吋碳化矽基板 是否投資量產看需求

日本Resonac開發出12吋碳化矽單晶基板，但是否投資量產仍待評估。圖為美國Wolfspeed以12吋碳化矽晶圓製作的大型中介層基板概念展示，非Resonac產品。（美聯社）

AI摘要 文章摘要整理： Resonac成為日本首家開發12吋碳化矽基板的業者，但因量產難度高與投資龐大，現階段仍以8吋產能為主。

Resonac成為日本首家開發12吋碳化矽基板的業者，但因量產難度高與投資龐大，現階段仍以8吋產能為主。

日媒報導， 日本 半導體材料大廠Resonac Holdings宣布，成功開發出日本首片300公釐、相當於12吋的碳化矽（SiC）單晶基板，為日企首例。

與目前主流6吋基板相比，12吋基板的面積約為四倍。如果未來成為主流，可望提升功率半導體的能源效率，並大幅降低量產成本。

隨著資料中心用電需求增加，市場看好碳化矽晶圓的成長潛力。

研究機構富士經濟預估，全球功率半導體晶圓市場到2035年將擴大至2025年的約三倍，碳化矽晶圓占比近七成。

尺寸變大提高製造難度。碳化矽晶體生長需要攝氏2,000度以上高溫，材料容易產生缺陷，且晶錠硬度高，切割與拋光也更困難。

目前仍沒有業者全面投入12吋基板的商業化生產。美國Wolfspeed與中國的天岳先進雖已開發出相關產品，但要實現量產效益，仍須投入大量設備資金，並建立能穩定供應低缺陷基板的體系。

Resonac現階段將先強化8吋基板產能，一冉依客戶需求評估是否投資12吋基板。

精華 FAQ Q1：Resonac此次宣布成功開發了什麼新產品？ Resonac宣布成功開發出日本首片300公釐、相當於12吋的碳化矽單晶基板，創下日企首例，顯示日本在SiC基板技術上已有新突破。 Q2：12吋碳化矽基板相較6吋基板有哪些潛在優勢？ 12吋基板面積約為6吋的4倍，若未來成為主流，可望提升功率半導體的能源效率，並因單片產出更多而大幅降低量產成本。 Q3：為什麼12吋SiC基板目前仍難以全面商業化量產？ SiC晶體生長需攝氏2,000度以上高溫，容易產生缺陷，且材料硬度高，切割與拋光更難；要量產還需大量設備投資與穩定低缺陷供應體系。

Q1：Resonac此次宣布成功開發了什麼新產品？ Resonac宣布成功開發出日本首片300公釐、相當於12吋的碳化矽單晶基板，創下日企首例，顯示日本在SiC基板技術上已有新突破。

Q1：Resonac此次宣布成功開發了什麼新產品？

Resonac宣布成功開發出日本首片300公釐、相當於12吋的碳化矽單晶基板，創下日企首例，顯示日本在SiC基板技術上已有新突破。

Q2：12吋碳化矽基板相較6吋基板有哪些潛在優勢？ 12吋基板面積約為6吋的4倍，若未來成為主流，可望提升功率半導體的能源效率，並因單片產出更多而大幅降低量產成本。

Q2：12吋碳化矽基板相較6吋基板有哪些潛在優勢？

12吋基板面積約為6吋的4倍，若未來成為主流，可望提升功率半導體的能源效率，並因單片產出更多而大幅降低量產成本。

Q3：為什麼12吋SiC基板目前仍難以全面商業化量產？ SiC晶體生長需攝氏2,000度以上高溫，容易產生缺陷，且材料硬度高，切割與拋光更難；要量產還需大量設備投資與穩定低缺陷供應體系。

Q3：為什麼12吋SiC基板目前仍難以全面商業化量產？

SiC晶體生長需攝氏2,000度以上高溫，容易產生缺陷，且材料硬度高，切割與拋光更難；要量產還需大量設備投資與穩定低缺陷供應體系。

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