ASML：下一代晶片製造技術 估十年後準備就緒

艾司摩爾及合作夥伴Carl Zeiss的工程師，在一篇論文中表示，最先進晶片製造設備的下一代產品，可能在約十年後面世。路透

AI摘要 文章摘要整理： 路透指出，ASML與蔡司的論文顯示，下一代Hyper NA晶片設備約10年後可能就緒，可印製更小圖形並沿用多項既有技術，但仍未承諾投產。

路透指出，ASML與蔡司的論文顯示，下一代Hyper NA晶片設備約10年後可能就緒，可印製更小圖形並沿用多項既有技術，但仍未承諾投產。

路透報導，艾司摩爾（ASML）及光學合作夥伴卡爾蔡司公司（Carl Zeiss）的工程師，在一篇經過同行評審的論文中表示，ASML最先進晶片製造設備的下一代產品，可能在約十年後準備就緒。

報導指出，根據這篇論文，這款名為「Hyper NA」的設備，能夠印製更小的電路圖形，同時利用兩家公司現有的大量技術，不過仍面臨一些挑戰。

ASML已開始研發這款設備，但尚未承諾投產。該設備對ASML及其合作夥伴和競爭對手的未來，都具有重要意義。

這篇發表在10月號《微奈米圖案化、材料與計量學期刊》（Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology，JM³）上的論文稱，Hyper NA可印製小至5奈米的特徵圖形，比ASML目前的High NA EUV設備所能印製的電路特徵，縮小逾三分之一。

儘管晶片製造商正透過三維設計，改進晶片，但縮小特徵圖形對於提高運算速度和降低功耗，依然至關重要，而光刻技術是其中一個制約因素。

在晶片製造商中， 英特爾 已開始採用High NA設備。 三星 電子和SK海力士上月表示，預定2028年跟進採用， 台積電 則計劃於2030年採用。

這篇論文指出，蔡司目前已經能夠製造精確度足以滿足Hyper NA要求的反射鏡，而這款設備只會比High NA設備略大，High NA的體積相當於一輛雙層巴士。

論文作者表示，在Hyper NA之後，微影設備可能需要使用波長更短的光，但相關技術目前仍僅屬於學術研究課題。

他們表示，ASML目前的光源可直接沿用，同時在注釋中提到，採用自由電子雷射的替代技術，不會改變照明系統的設計。

精華 FAQ Q1：ASML與蔡司所研發的Hyper NA，預估何時可能準備就緒？ 根據同行評審論文與路透報導，Hyper NA這款下一代設備可能在約10年後準備就緒。雖然ASML已開始研發，但目前尚未承諾真正投產。 Q2：Hyper NA相較於現有High NA EUV，最大的技術特點是什麼？ Hyper NA可印製小至5奈米的特徵圖形，較ASML現有High NA EUV設備能做出的電路更精細，且有望大量沿用現有光源與照明系統等技術。 Q3：晶片業目前對High NA與Hyper NA的採用進度如何？ 英特爾已開始使用High NA設備，三星電子與SK海力士預定2028年跟進，台積電則規劃2030年採用；至於Hyper NA，仍處於研發與論文驗證階段。

Q1：ASML與蔡司所研發的Hyper NA，預估何時可能準備就緒？ 根據同行評審論文與路透報導，Hyper NA這款下一代設備可能在約10年後準備就緒。雖然ASML已開始研發，但目前尚未承諾真正投產。

Q1：ASML與蔡司所研發的Hyper NA，預估何時可能準備就緒？

根據同行評審論文與路透報導，Hyper NA這款下一代設備可能在約10年後準備就緒。雖然ASML已開始研發，但目前尚未承諾真正投產。

Q2：Hyper NA相較於現有High NA EUV，最大的技術特點是什麼？ Hyper NA可印製小至5奈米的特徵圖形，較ASML現有High NA EUV設備能做出的電路更精細，且有望大量沿用現有光源與照明系統等技術。

Q2：Hyper NA相較於現有High NA EUV，最大的技術特點是什麼？

Hyper NA可印製小至5奈米的特徵圖形，較ASML現有High NA EUV設備能做出的電路更精細，且有望大量沿用現有光源與照明系統等技術。

Q3：晶片業目前對High NA與Hyper NA的採用進度如何？ 英特爾已開始使用High NA設備，三星電子與SK海力士預定2028年跟進，台積電則規劃2030年採用；至於Hyper NA，仍處於研發與論文驗證階段。

Q3：晶片業目前對High NA與Hyper NA的採用進度如何？

英特爾已開始使用High NA設備，三星電子與SK海力士預定2028年跟進，台積電則規劃2030年採用；至於Hyper NA，仍處於研發與論文驗證階段。

法公債殖利率為何飆高？學生示威其來有自？克魯曼一文詳解