韓媒：全球晶片大廠組研發聯盟　力抗中國長鑫存儲崛起

（中央社加州森尼韋爾14日綜合外電報導）韓國商報報導，美國半導體設備大廠應用材料最近在加州森尼韋爾（Sunnyvale）為EPIC中心揭幕，這是由三星電子、SK海力士與台積電等半導體大廠參與的研發合作中心，旨在力抗中國記憶體大廠長鑫存儲的崛起。

根據韓國商報（Business Korea），EPIC中心（EPIC Center）總投資額達50億美元，是全球最大的半導體製程技術及製造設備聯合研發設施。

EPIC中心創始合作夥伴包括三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、台積電、英特爾（Intel）及美光（Micron）。

創新合作夥伴則包含博通（Broadcom）、愛德萬測試（Advantest）、Screen、鎧俠（Kioxia）、Besi及史丹佛大學（Stanford University）、加州大學柏克萊分校（UC Berkeley）等主要大學。

SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）表示，將透過與應用材料（Applied Materials）合作，因應高頻寬記憶體（HBM）、DRAM及NAND等領域的重大技術轉折。

韓國商報報導，這個全球性聯盟與中國力圖取得主導地位有關，而中國的目標不僅是實現半導體自主。

受美國對先進技術實施出口管制影響，中國與西方國家的技術交流幾乎中斷，而中國正由政府主導突破相關限制，迅速提升競爭力。

例如，美國阻止荷蘭艾司摩爾（ASML）向中國出口極紫外光（EUV）微影設備後，中國自行開發深紫外光（DUV）微影設備，以提升先進製程競爭力。

因此，被視為中國DRAM龍頭的長鑫存儲（CXMT）快速成長，最近宣布已開始量產其新一代行動DRAM產品LPDDR6。

此外，長鑫存儲也宣布，將率先採用新一代DRAM架構4F²，在今年內推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM。就連三星與SK海力士，目前都尚未宣布採用這種架構的量產計畫。

根據Counterpoint Research等市場研究機構，今年第2季，三星在全球DRAM市場市占率達39%，排名第一；在NAND市占率則為29.3%。長鑫存儲市占率達10%，是去年同期4%的兩倍以上，正加緊追趕。（編譯： 陳正健 ）1151015

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