涉非法轉移半導體技術至中國 比利時逮捕雙重國籍男子

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比利時檢調單位證實，一名具有中國及比利時雙重國籍的男子今年5月因涉嫌將半導體技術非法轉移至海外而被捕。示意圖。（美聯社）

比利時檢調單位今（7）日證實，一名具有中國及比利時雙重國籍的男子今年5月因間諜罪名被捕，他涉嫌將半導體技術非法轉移至海外，而他曾任職的公司目前已宣告破產。

《路透》報導，比利時檢察官指出，這名52歲男子曾任職於比利時微晶片製造商Belgan，並擔任高階職位，但他疑似同一時間也在一家中國公司擔任董事，而這間公司生產的晶片類型與Belgan相同。

Belgan是一家專門生產氮化鎵（gallium nitride）半導體的晶片製造商，已在2024年7月宣告破產。

檢察官強調，該間中國公司背後有中國投資基金資助，且成立時間點是該名男子進入Belgan的幾個月後；該名男子涉嫌利用職務，將涉及用於電動車、航太及軍事領域的氮化鎵晶片的智慧財產權及商業機密非法轉移至國外。

檢察官補充說，涉案男子目前仍被羈押，他此前定居在比利時，今年5月在扎文騰機場（Zaventem Airport）被捕，當時他正準備搭機前往北京，而本案的第2名嫌犯目前依然在逃。

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