三星：明年HBM料占DRAM晶圆产能近三成

人工智能 （AI）需求持续推高高带宽内存（high bandwidth memory，简称HBM）的生产比重。 三星电子 预计，明年HBM将占全球动态随机存储器（dynamic random-access memory, 简称DRAM）制造商晶圆总产能的近30%，高于目前约20%。

路透社报道，三星电子执行副总裁金泰宇星期二（9月29日）说，由于HBM和标准DRAM使用相同的晶圆产能，随着晶片制造商扩大HBM生产，标准DRAM的供应可能因此受到限制。

HBM是AI运算的重要零部件 ，通过垂直堆叠多个存储晶片，让处理器能够高速读取大量数据。随着AI数据中心和相关运算需求迅速增长，HBM需求也随之攀升。

目前全球HBM市场主要由韩国的SK海力士（SK Hynix）和三星电子，以及美国美光科技（Micron）主导。