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华为余承东:中国正研发极紫外光刻设备

中国科技巨头华为高管透露,中国正研发制造先进晶片所需的极紫外光刻(EUV)设备,但现阶段国内制造先进晶片仍依赖深紫外光刻(DUV)技术。

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华为余承东:中国正研发极紫外光刻设备

中国科技巨头华为高管透露,中国正研发制造先进晶片所需的极紫外光刻(EUV)设备,但现阶段国内制造先进晶片仍依赖深紫外光刻(DUV)技术。

华为10月6日在社交平台X发布9月29日国际媒体圆桌会议摘要。华为常务董事、终端业务集团董事长余承东在会上与多家国际媒体交流,谈及华为晶片技术及鸿蒙生态系统等议题。

余承东在回应有关人工智能(AI)、硬件及光刻技术的提问时说,EUV设备是制造先进晶片的关键,中国目前正研发相关设备,但国内现阶段仍依靠DUV技术。他未进一步透露EUV设备的研发进度或量产时间表。

在先进半导体技术获取受限的背景下,华为正通过其他技术途径提升晶片性能。余承东指出,华为研发的“逻辑折叠”(LogicFolding)技术,就是在部分关键技术获取受限的情况下,提升晶片性能的一种方法。

他解释,智能手机的主处理器需要先进制程,但许多其他零部件对制程的要求相对较低。因此,华为采取系统工程的方法,通过软硬件协同优化整体性能,弥补无法获得更先进制程技术的不足。

余承东也指出,中国目前的先进半导体产能仍无法满足快速增长的需求,包括华为用于AI领域的昇腾晶片,也需要使用相关产能。但华为已制定涵盖智能手机晶片的需求规划,目前产能虽然紧张,但基本足以满足市场出货需求。

华为10月1日发布的Mate 90系列旗舰手机,部分型号搭载采用逻辑折叠技术的麒麟9050 Pro晶片。这项技术通过垂直堆叠晶片逻辑层,并利用高密度层间互连重新设计电路布局,以缩短信号传输路径、降低延迟,提升晶片性能。

余承东称,搭载麒麟9050 Pro晶片的Mate 90 Pro Max等机型,整机性能较上一代提升31%。华为未来也将在更多智能手机中采用逻辑折叠技术。

华为半导体业务负责人何庭波今年5月曾提出“韬定律”,预计到2031年,采用相关技术的高端晶片,其晶体管密度可达到相当于1.4纳米制程的水平,但这不等同于掌握1.4纳米晶片制造工艺。

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