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中國長鑫宣稱「新技術」震撼全球晶片股，三星、SK海力士重挫。（法新社）

〔記者高嘉和/綜合報導〕長鑫存儲與長江存儲被視為中國記憶體國家隊，但這兩家涉及竊密與挖角等爭議不少。而長鑫近期宣稱將推出採用4F²記憶單元架構的DDR5 RDIMM伺服器記憶體，一度造成韓國半導體類股重挫；但多數專家直言就是「過度宣傳」；而在國家大基金與地方政府強力扶持下，中國推進記憶體自主化，但國家隊不是靠偷、就是靠吹。

專注於NAND Flash（快閃記憶體）的長江存儲，就被質疑靠著竊密與挖角快速崛起。長存不僅將竊取來的技術用於自家產品，還註冊為專利組合，甚至「做賊喊抓賊」，在德國反咬美光侵權並一度打贏官司、取得禁制令；美光終於忍不住，近來在美國法院提起反訴，指控長存竊取營業秘密，而長存主張用來提告的專利，根本是長存高薪挖角美光工程師後，竊取美光技術去註冊的「贓物」。

長鑫存儲也被指控竊取三星電子技術。韓國檢方2023年底起訴10名前三星員工，指控他們將關鍵晶片製造技術洩漏給長鑫；今年4月，韓國法院依違反《產業技術保護法》，將一名曾在三星工作28年的56歲前工程師判處7年有期徒刑；調查指出，該名工程師在退休前透過手抄等方式，竊取三星18奈米/10奈米級DRAM超過600道關鍵製造步驟的「製程配方計畫」（PRP）。

而長鑫近期高調宣布，將於2026年底前推出採用「4F²」記憶單元架構，並結合晶圓級混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的新一代伺服器DDR5 RDIMM記憶體。

但多數專家質疑，技術路線圖不等於「商業化量產」，三星與SK海力士早已公開相關研究成果，長鑫宣稱「年底推出」目標，多半僅屬於工程樣品階段，距離真正克服製造成本與良率、實現大規模量產仍有極大差距。

另長鑫只對外公布架構方向與今年底推出的空洞時間表，對於該產品具體的傳輸速率、單條容量、實際良率或第三方測試數據皆隻字未提；而長鑫目前製造能力仍停留約15奈米級別，遠不如前三大廠早達到10奈米級，根本不具備「領先2年」優勢。

還有，伺服器與資料中心客戶對記憶體24小時運作穩定性、錯誤控制與平台相容性要求極為嚴苛；長鑫還得通過客戶送樣與系統驗證，單憑發表新架構難以取信客戶。

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